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       IGBT？榈目刈饔檬峭ü诱蛘ぜ缪剐纬晒档，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。驱动方法和MOSFET基本相同，只要控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT？樵诟叩缪故保簿哂械偷耐ㄌ缪。